正胶着于以乌克兰交战的俄罗斯，近日放出豪言将要制造最新光刻机。这也是被美国全方位芯片制裁后，俄罗斯不得不做出改变了，根据俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构的最新公文披露，俄罗斯国家科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所（IPF RAS）目前已经在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，同时还对外夸下海口：首套光刻机将能够使用7nm生产芯片，预计将在2028年全面投产。
不过想研究出来并非易事，对此大多数人对此保持怀疑态度，因为全球仅一家公司ASML有能力生产最先进EUV级别。而据俄罗斯研究院介绍，他们将打算在六年内制作出光刻机的工业原型，而首当其冲的任务就是要在2024年开发一台alpha机器。这一阶段的重点不在于其工作或解决的高速性，而在于所有系统的全面性。
接着到2026年，经过长时间的研发临时alpha应该被Beta所取代。这意味着届时所有系统都将得到改进和优化，分辨率也将得到大大提升，进一步实现生产合格率，如真能实现，那么将来的许多操作都可以实现机械自动化。该阶段最重要的是将其集成到实际的技术流程中，再通过「拉起」适合其他生产阶段的设备对其进行调试。
第三步也就是最后一步，同样也作为最重要的核心。那就是将为光刻机带来更强的光源、改进的定位和馈送系统，从而让一套光刻系统能够快速准确地工作。
目前已知的是，俄罗斯国内已经可以生产65nm制程的芯片，但就目前而已言还远远不够，不管是民生需求还是军用，还远达不到标准。因此该国宣布了一项国家计划，他们希望在2030年开发28nm制程，同时希望可以靠着对外国芯片进行逆向工程，并培养当地半导体人才。
虽然因为俄乌战争导致俄罗斯失去了顶尖芯片的供给，但是俄罗斯科学院纳米结构研究所副所长表示，虽然全球光刻机领导者ASML在20世纪以来一直致力于EUV光刻机，使得世界顶尖半导体厂商保持极高的生产效率。但就国内而言并不需要，他解释称：目前我们只需要根据俄罗斯国内的需求向前推进即可。
不过，从其他外媒的评价来看，俄罗斯的想法似乎太过天真，因为芯片制造是最为核心的部份，所以想在6年内仅凭自己国内实力研发出可媲美ASML全球十年积淀的光刻技术说出去也不会有人相信，并且生产高效率芯片且并非光靠光刻机就可生产出芯片来，同时还需要许多外围设备，而且就连ASML也并非以一直之力能够制造出来的，同样也需要从许多国家中进口来，所以综合以上条件都在说明俄罗斯并不满足独立生产这些设备的条件。
让人意想不到的是，下诺夫哥罗德代表团居然还向外媒展示了未来光刻设备的演示样品。该套系统完全基于下诺夫哥罗德的IAP RAS开发、制造和安装。不过他们自己也提到，这甚至不是设备原型，而是「原型的原型」。
代表团说道：尽管这套演示设备不能解决如今面临的实际工业问题，但它可以让科学家有机会验证关键技术的可行性，并测试进一步工作所需的其他关键假设。
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